程新红1992年于吉林大学物理系获得学士学位，1997年于中科院金属研究所获得硕士学位，2005年于中科院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员。作为项目负责人承担国家科技重大专项课题、自然基金面上项目、中科院项目、上海市科技创新项目；作为研究骨干参与国家科技重大专项相关研究任务。 

　　主要从事功率技术开发以及汽车电子专用芯片研发。 

　　针对宽禁带半导体功率器件GaN HEMT开展系列工作，尤其侧重HEMT器件界面高介电常数介质生长和钝化、以及电流崩塌效应抑制。

　　针对汽车电子通讯接口芯片CAN\LIN，以及电动汽车用电池监控芯片（BMS）开展研发工作，力争实现关键芯片国产化。为IEEE Electron Device Letters 期刊审稿人。在IEEE Electron Devices, Applied Physics Letters等期刊上发表多篇学术论文，授权16项国内发明专利，3项PCT专利。 

科技产出