武爱民， 中科院上海微系统与信息技术研究所 研究员，博士生导师。在中科院上海微系统所取得博士学位，曾在加州大学伯克利分校开展纳米光子学研究。 

武爱民长期从事高密度硅光集成芯片开发和硅光子前沿探索，主要研究方向为：利用新原理和新材料研制低功耗、高性能的硅光子元器件，利用先进的CMOS工艺研制硅光高速收发芯片和FMCW激光雷达等集成芯片，突破行业关键器件和集成技术。作为负责人承担了包括国家科技02重大专项、中科院“大规模光子集成”B类先导专项、科技部重点研发计划和上海市硅光子市级重大专项等多项省部级科研项目。参与建立国内最早的200mm硅基光电集成工艺平台，研发的关键硅光子器件达到国际一流水平。硅光子学术成果发表在Physics Review Letters、Nano Letters和Laser & Photonics Reviews等国际权威期刊，受到美国物理学会和英国物理学会的专题报道。发表SCI论文70余篇，国际会议报告20余次，申请国家发明专利60余项。与光通信领域数家龙头企业开展产学研合作，研究成果实现转化，共同发起成立硅光芯片企业成为硅光创新的重要力量。2017年获上海市自然科学一等奖，2018年获江苏省科技进步二等奖。