俞文杰，博士，研究员，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，主要从事基于SOI的高迁移率材料与器件研究。2005年毕业于复旦大学材料物理专业，获学士学位。2011年毕业于中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学专业，获博士学位，师从王曦院士。2009年9月至2011年8月，在德国于利希研究中心（Forschungszentrum Jülich）作为访问学者，从事SOI器件、高迁移率沟道器件的研究。2011年至今，在上海微系统所信息功能材料国家重点实验室从事基于SOI的高迁移率材料与器件研究。入选“中国科学院青年创新促进会”成员。
俞文杰博士已有多年从事基于SOI的高迁移率材料与器件研究的经验，具有扎实的半导体材料及器件的理论基础，并熟练掌握SOI 及其他高端硅基材料的制备技术和MOS器件制备技术，同时还积累了丰富的高迁移率MOS 器件的制备、分析的经验。共在发表学术论文50余篇，其中高迁移率MOS 器件的研究成果在IEEE Electron Device Letter、IEEE Transaction on Electron Device等国际顶尖电子器件期刊上发表。目前主持国家自然科学基金青年基金一项，上海自然科学基金青年基金一项，参与国家科技重大专项“02专项”两项。
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