狄增峰，研究员，博士生导师，中组部“万人计划”科技创新领军人才，自然科学基金委“优秀青年基金”，全国优秀博士学位论文获得者。2001年本科毕业于南京大学，2006年在中国科学院上海微系统与信息技术研究所获得博士学位，其中2004年3月至2005年9月在香港城市大学物理与材料科学系进行联合培养。2006年至2010年在美国能源部Los Alamos国家实验室从事博士后研究工作。2010年9月作为海外杰出人才引进，被中国科学院上海微系统与信息技术研究所聘为研究员。

　　长期从事SOI材料、电子器件及相关技术应用和基础研究工作, 主要针对微电子技术器件特征尺寸缩小带来短沟道效应、迁移率退化的物理难题，开展高端SOI材料，包括全耗尽SOI材料、应变SOI（sSOI）、绝缘体上锗（GeOI）和绝缘体上石墨烯（GrOI）应用基础研究工作。研究成果在Materials Science and Engineering: R、Nature Communications、 Advanced Materials、Nano Letters等杂志共发表SCI论文130余篇。共授权国内发明专利91件，授权国际发明专利6件。曾获得全国百篇优秀博士学位论文（2008）、中国科学院院长奖特别奖（2006）、美国Los Alamos国家实验室主任基金（2006）和中国科学院优秀博士学位论文（2007）。2010年入选中国科学院“百人计划”（2015年终期评估优秀），2011年入选上海市“浦江人才计划”，2012年获得国家自然科学基金委“优秀青年基金”支持，2015年获得中组部“万人计划”青年拔尖人才支持，2016年入选上海市优秀学术带头人、中国科学院上海分院杰出青年，2017年入选百千万人才工程国家级人选，2018年入选科技部中青年科技创新领军人才、中组部“万人计划”科技创新领军人才、国务院政府特殊津贴。