以氧化铝（AlN)为绝缘埋层的SOI材料制备方法
| 专利名称: |
以氧化铝（AlN)为绝缘埋层的SOI材料制备方法 |
| 专利名称英文: |
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| 专利类别: |
发明 |
| 申请号: |
98122067.3 |
| 专利号: |
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| 申请日期: |
1998-12-4 |
| 第一发明人: |
林成鲁 |
| 第一发明人英文: |
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| 其他发明人: |
张苗、王连卫、黄继颇、多新中 |
| 其他发明人英文: |
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 国外申请方式英文: |
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| 专利授权日期: |
2002-7-31 |
| 缴费情况: |
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| 缴费情况英文: |
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| 实施情况: |
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| 实施情况英文: |
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| 其他备注: |
授权 |
| 其他备注英文: |
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
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| 专利摘要英文: |
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| 国外授权日期: |
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