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用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
专利名称: 用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 2015110282460?
专利号:
申请日期: 2015-12-31
第一发明人: 杨恒
第一发明人英文:
其他发明人: 豆传国; 戈肖鸿; 吴燕红; 李昕欣
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 受理
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