用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法
专利名称: |
用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法 |
专利名称英文: |
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专利类别: |
发明 |
申请号: |
2015110282460? |
专利号: |
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申请日期: |
2015-12-31 |
第一发明人: |
杨恒 |
第一发明人英文: |
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其他发明人: |
豆传国; 戈肖鸿; 吴燕红; 李昕欣 |
其他发明人英文: |
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国外申请日期: |
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国外申请方式: |
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国外申请方式英文: |
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专利授权日期: |
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缴费情况: |
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缴费情况英文: |
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实施情况: |
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实施情况英文: |
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其他备注: |
受理 |
其他备注英文: |
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专利证书号: |
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专利摘要: |
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专利摘要英文: |
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国外授权日期: |
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