基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法

专利名称:	基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2015100724563？
专利号:
申请日期:	2015-2-11
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	沈玲燕; 王中健; 夏超; 曹铎; 郑理; 王谦; 俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: