一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法

专利名称:	一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2015103910198？
专利号:
申请日期:	2015-7-6
第一发明人:	王青
第一发明人英文:
其他发明人:	刘波; 夏洋洋; 张中华; 宋三年; 宋志棠; 封松林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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其他备注:	受理
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