基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法 专利名称: 基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法 专利名称英文: 专利类别: 发明 申请号: 201510401391.2 专利号: 申请日期: 2015-7-9 第一发明人: 张浩然 第一发明人英文: 其他发明人: 于广辉、张燕辉、张亚欠、陈志蓥、隋妍萍 其他发明人英文: 国外申请日期: 国外申请方式: 国外申请方式英文: 专利授权日期: 缴费情况: 缴费情况英文: 实施情况: 实施情况英文: 其他备注: 受理 其他备注英文: 专利证书号: 专利摘要: 专利摘要英文: 国外授权日期: