基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法

专利名称:	基于深硅刻蚀工艺的超导纳米线单光子探测器及制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2015105939557？
专利号:
申请日期:	2015-9-17
第一发明人:	尤立星
第一发明人英文:
其他发明人:	李浩; 王镇
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: