一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

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一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法

专利名称:	一种基于薄膜半导体-石墨烯异质结的光电探测器制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	2015105990229？
专利号:
申请日期:	2015-9-18
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	郑理; 王中健; 曹铎; 王谦; 沈玲燕; 张栋梁; 俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	受理
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