一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法
| 专利名称: |
一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法 |
| 专利名称英文: |
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| 专利类别: |
发明 |
| 申请号: |
2016102521638？ |
| 专利号: |
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| 申请日期: |
2016-4-21 |
| 第一发明人: |
陈静 |
| 第一发明人英文: |
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| 其他发明人: |
黄建强; 罗杰馨; 柴展; 吕凯; 何伟伟 |
| 其他发明人英文: |
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| 国外申请日期: |
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| 国外申请方式: |
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| 国外申请方式英文: |
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| 专利授权日期: |
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| 缴费情况: |
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| 缴费情况英文: |
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| 实施情况: |
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| 实施情况英文: |
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| 其他备注: |
受理 |
| 其他备注英文: |
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| 专利证书号: |
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| 专利摘要: |
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| 专利摘要英文: |
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| 国外授权日期: |
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