基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法
专利名称: |
基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法 |
专利名称英文: |
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专利类别: |
发明 |
申请号: |
2016103007745? |
专利号: |
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申请日期: |
2016-5-9 |
第一发明人: |
俞文杰 |
第一发明人英文: |
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其他发明人: |
费璐; 刘强; 刘畅; 文娇; 王翼泽; 王曦 |
其他发明人英文: |
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国外申请日期: |
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国外申请方式: |
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国外申请方式英文: |
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专利授权日期: |
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缴费情况: |
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缴费情况英文: |
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实施情况: |
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实施情况英文: |
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其他备注: |
受理 |
其他备注英文: |
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专利证书号: |
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专利摘要: |
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专利摘要英文: |
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国外授权日期: |
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