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基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法
专利名称: 基于绝缘体上硅衬底的射频电容元件及其制备方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 2016103007745?
专利号:
申请日期: 2016-5-9
第一发明人: 俞文杰
第一发明人英文:
其他发明人: 费璐; 刘强; 刘畅; 文娇; 王翼泽; 王曦
其他发明人英文:
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实施情况:
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其他备注: 受理
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