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一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法
专利名称: 一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 2016103892419?
专利号:
申请日期: 2016-6-2
第一发明人: 王浩敏
第一发明人英文:
其他发明人: 谢红; 李蕾; 王慧山; 谢晓明
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 受理
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