利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法 专利名称: 利用离子注入剥离技术制备单晶氧化物阻变存储器的方法 专利名称英文: 专利类别: 发明 申请号: 2016105279068？ 专利号: 申请日期: 2016-7-6 第一发明人: 欧欣 第一发明人英文: 其他发明人: 游天桂 黄凯 贾棋 伊艾伦 王曦 其他发明人英文: 国外申请日期: 国外申请方式: 国外申请方式英文: 专利授权日期: 缴费情况: 缴费情况英文: 实施情况: 实施情况英文: 其他备注: 受理 其他备注英文: 专利证书号: 专利摘要: 专利摘要英文: 国外授权日期: