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一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法
专利名称: 一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 201610527885X?
专利号:
申请日期: 2016-7-6
第一发明人: 欧欣
第一发明人英文:
其他发明人: 黄凯 贾棋 游天桂 王曦
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 受理
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: