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具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法
专利名称: 具有漏电屏蔽结构的SOI场效应晶体管及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 2020108506464
专利号:
申请日期: 2020/8/21
第一发明人: 刘强
第一发明人英文:
其他发明人: 俞文杰;
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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其他备注:
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专利摘要:
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