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具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法
专利名称: 具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法
专利名称英文:
专利类别:
申请号: 2020108495559
专利号:
申请日期: 2020/8/21
第一发明人: 俞文杰
第一发明人英文:
其他发明人: 刘强;
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
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专利授权日期:
缴费情况:
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实施情况:
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专利摘要:
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