相变存储器材料研究
第一作者: |
吴良才;宋志棠;周夕淋;饶峰;封松林; |
摘要: |
作为下一代最具竞争力的新型存储技术之一,相变存储技术近十多年来得到突飞猛进的发展,相关产品已经问世并实现量产.伴随着相变存储技术本身的发展,与其相关的基础研究也是近年来信息、材料等相关领域的研究热点.基于硫系化合物材料的相变存储介质是相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能.本文简要介绍了相变存储器的产业化动态、总结了常用GeSbTe相变材料及其机理的主要理论研究结果、分析了传统GeSbTe相变材料的C掺杂改性及其相变机理.
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联系作者: |
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页码: |
126-134 |
期: |
10 |
学科: |
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外单位作者单位 : |
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发表年度: |
2016 |
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刊物名称: |
中国科学:物理学 力学 天文学 |
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第一作者所在部门: |
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