0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计

第一作者:	王坤;程新红;王林军;徐大伟;张专;李新昌;
摘要:	基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共栅结构,输出级采用了3-stack FET结构,采用线性化技术改进传统偏置电路,提高了功率放大器线性度。电源电压为3.6 V,芯片面积为0.31 mm×0.35 mm。利用Cadence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器电路进行仿真,结果表明,工作频率为350 MHz时,功率放大器的饱和输出功率为24.2 d Bm,最大功率附加效率为52.5%,小信号增益达到38.15 d B。在300~400 MHz频带内功率放大器的饱和输出功率大...
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页码:	102-106
期:	2
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发表年度:	2016
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刊物名称:	半导体技术
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